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SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7456DDP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V

The is a 100V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for telecom and server applications. Used in DC/DC primary side switch and synchronous rectification circuits. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
SI7456DDP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35.7 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 900pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.12 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业, 通信与网络, Power Management, Communications & Networking, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI7456DDP-T1-GE3引脚图与封装图
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SI7456DDP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7456DDP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V 搜索库存