SIS452DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3800 mW
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1700pF @6VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIS452DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS452DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 12V 27.9A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |