SI3430DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.185 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.14 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.40 A, 1.80 A
上升时间 11 ns
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.14 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1 mm
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3430DV-T1-E3引脚图与封装图
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| SI3430DV-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |