SI4485DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.035 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 5 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4485DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4485DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 30 V 42 mOhmS SO-8 无卤 | 搜索库存 |