SI3493BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2080 mW
上升时间 72 ns
输入电容Ciss 1805pF @10VVds
下降时间 84 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2080 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 TSOP-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3493BDV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3493BDV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3493BDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 20V 8A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V | 搜索库存 |