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SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4134DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range
SI4134DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0115 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 846pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SI4134DY-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4134DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4134DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V 搜索库存
替代型号SI4134DY-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI4134DY-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOIC-Narrow-8 N-Channel

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封装: REEL N-Channel

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