
针脚数 8
漏源极电阻 0.0115 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 846pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4134DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4134DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI4134DY-T1-GE3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: SOIC-Narrow-8 N-Channel | 当前型号 | VISHAY SI4134DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V | 当前型号 | |
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