SI1471DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.78 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -1.60 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1471DH-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI1471DH-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET | 搜索库存 |