SQ1421EDH-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.23 Ω
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2.5 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 25 ns
下降时间 9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17
SQ1421EDH-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQ1421EDH-T1_GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQ1421EDH-T1_GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -1.6A, -60V, 0.23Ω, -10V, -2V New | 搜索库存 |