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SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3

数据手册.pdf
SI1077X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.236 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1077X-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1077X-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1077X-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.75 A, -20 V, 0.065 ohm, -4.5 V, -1 V 搜索库存