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SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3

数据手册.pdf

P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R


Allied Electronics:
P-CHANNEL 2.5-V G-S MOSFET


富昌:
单 P 沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3443BDV-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -3.6 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V


SI3443BDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.048 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

连续漏极电流Ids 3.60 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI3443BDV-T1-E3引脚图与封装图
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SI3443BDV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V G-S MOSFET 搜索库存