SI8817DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 900 mW
输入电容Ciss 615pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 BGA-4
外形尺寸
高度 0.2 mm
封装 BGA-4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8817DB-T2-E1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI8817DB-T2-E1 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4Pin Micro Foot T/R | 搜索库存 |