SI2329DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
上升时间 22 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI2329DS-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2329DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |