SI1012CR-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 240 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 43pF @10VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.24 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
外形尺寸
长度 1.68 mm
宽度 0.86 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Portable Devices, Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI1012CR-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI1012CR-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI1012CR-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV | 搜索库存 |
替代型号SI1012CR-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI1012CR-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SC N-Channel | 当前型号 | VISHAY SI1012CR-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV | 当前型号 |
| 型号： SI1012R-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOT-416 N-Channel 20V 600mA | 功能相似 | VISHAY SI1012R-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV | SI1012CR-T1-GE3和SI1012R-T1-GE3的区别 |