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SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1012X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 500mA, SC-89

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 20V; RDSON 0.41Ohm; ID 500mA; SC-89 SOT-490; Halogeenfree


富昌:
单 N沟道 20 V 0.7 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SC-89


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1012X-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 6 V, 900 mV


SI1012X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 900 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 600 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

长度 1.7 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1012X-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI1012X-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI1012X-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1012X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 500mA, SC-89 搜索库存
替代型号SI1012X-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI1012X-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SC-89 N-Channel 20V 600mA

当前型号

VISHAY  SI1012X-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 500mA, SC-89

当前型号

型号: SI1012X-T1-E3

品牌: 威世

封装: N-Channel 20V 500mA 850mΩ

类似代替

N沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.8-V G-S MOSFET

SI1012X-T1-GE3和SI1012X-T1-E3的区别