SI3474DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.102 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.6 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
外形尺寸
封装 TSOP-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 LED Lighting, Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI3474DV-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI3474DV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3474DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI3474DV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 100 V, 0.102 ohm, 10 V | 搜索库存 |