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SI1427EDH-T1-GE3

SI1427EDH-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1427EDH-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

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2000V ESD performance
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Built in ESD protection with Zener diode
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100% Rg tested
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-55 to 150°C Operating temperature range
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Halogen-free
SI1427EDH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.05 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1427EDH-T1-GE3引脚图与封装图
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