锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI3407DV-T1-GE3  晶体管, P沟道

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

**

* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

**

* 100% Rg and UIS Tested**

**

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

**

* Switch Mode Power Supplies**

**

* Personal Computers and Servers**

**

* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
Si3407DV Series P-Channel 20 V 0.024 Ohm 4.2 W Surface Mount Mosfet - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3407DV-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -8 A, -20 V, 0.02 ohm, -4.5 V, -1.5 V


SI3407DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -8.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI3407DV-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI3407DV-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI3407DV-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI3407DV-T1-GE3  晶体管, P沟道 搜索库存