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SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

数据手册.pdf
SIHB28N60EF-GE3中文资料参数规格
技术参数

输入电容Ciss 2714pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SIHB28N60EF-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIHB28N60EF-GE3 Vishay Semiconductor 威世 N 通道 MOSFET,带快速二极管,EF 系列,Vishay Semiconductor 减少反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流 低品质因数 FOM 低输入电容 Ciss 由于低反向恢复电荷,提高了坚固性 超低栅极电荷 Qg ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存