SIHB28N60EF-GE3中文资料参数规格
技术参数
输入电容Ciss 2714pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHB28N60EF-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIHB28N60EF-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET,带快速二极管,EF 系列,Vishay Semiconductor 减少反向恢复时间、反向恢复电荷和反向恢复电流 低品质因数 FOM 低输入电容 Ciss 由于低反向恢复电荷,提高了坚固性 超低栅极电荷 Qg ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor | 搜索库存 |