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SUP40N25-60-E3

SUP40N25-60-E3

数据手册.pdf

N沟道250 -V ( D- S) 175℃ MOSFET N-Channel 250-V D-S 175C MOSFET

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition

* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated

* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life

* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

**Applications:

**

* Load/Power Switching in Portable Devices


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB


安富利:
Trans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin3+Tab TO-220AB


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 40A; 300W; TO220AB


SUP40N25-60-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

漏源极电阻 0.163 Ω

耗散功率 300 W

输入电容 5000pF @25V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

上升时间 220 ns

下降时间 145 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

高度 15.49 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SUP40N25-60-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SUP40N25-60-E3 Vishay Semiconductor 威世 N沟道250 -V ( D- S) 175℃ MOSFET N-Channel 250-V D-S 175C MOSFET 搜索库存