SIHP25N40D-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 278 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 400 V
输入电容Ciss 1707pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 278 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHP25N40D-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIHP25N40D-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHP25N40D-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SIHP25N40D-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHP25N40D-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220-3 N-Channel | 当前型号 | N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： FDP26N40 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 400V 26A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP26N40 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 400 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V | SIHP25N40D-GE3和FDP26N40的区别 |