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SUM110P08-11L-E3

SUM110P08-11L-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SUM110P08-11L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -110 A, -80 V, 0.0093 ohm, -10 V, -3 V

The is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.

.
±20V Gate-source voltage

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 80V 23.5A 3-Pin2+Tab D2PAK


Allied Electronics:
80V 110A 375W


富昌:
单 P沟道 80 V 0.0111 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - TO-263


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 80V 23.5A 3-Pin2+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET P-CH 80V 23.5A 3-Pin2+Tab D2PAK


Newark:
# VISHAY  SUM110P08-11L-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -110 A, -80 V, 0.0093 ohm, -10 V, -3 V


SUM110P08-11L-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0093 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids -11.0 A

输入电容Ciss 10850pF @40VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 13600 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SUM110P08-11L-E3引脚图与封装图
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