SIE818DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0078 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 75 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 10
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
宽度 5.16 mm
封装 PolarPAK-10
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SIE818DF-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SIE818DF-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE818DF-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道75 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 75-V D-S MOSFET | 搜索库存 |