SIE808DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
输入电容Ciss 8800pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5200 mW
封装参数
引脚数 10
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
高度 0.8 mm
封装 PolarPAK-10
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIE808DF-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SIE808DF-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE808DF-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V | 搜索库存 |