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SUM110P06-08L-E3

SUM110P06-08L-E3

数据手册.pdf

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

FEATURES

• TrenchFET® Power MOSFET

• Package with Low Thermal Resistance

• 100 % Rg Tested


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK


富昌:
单通道 P 沟道 60 V 0.008 Ohm 272 W 表面贴装 功率 Mosfet - TO-263-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin2+Tab D2PAK


Newark:
# VISHAY  SUM110P06-08L-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -110 A, -60 V, 6500 µohm, -10 V, -1 V


儒卓力:
**P-CH 60V 110A 8mOhm TO263-3 **


力源芯城:
-60V,-110A,8mΩ,P沟道MOSFET


SUM110P06-08L-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 272 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 9200pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SUM110P06-08L-E3引脚图与封装图
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