SIHA20N50E-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHA20N50E-E3引脚图与封装图
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在线购买SIHA20N50E-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHA20N50E-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHA20N50E-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号SIHA20N50E-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIHA20N50E-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220FP N-Channel | 当前型号 | VISHAY SIHA20N50E-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： SPA21N50C3XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-220F N-Channel 560V 21A | 功能相似 | INFINEON SPA21N50C3XKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V | SIHA20N50E-E3和SPA21N50C3XKSA1的区别 |