SI7192DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.00155 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.25 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 10.0 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI7192DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7192DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V | 搜索库存 |