SI7174DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.25 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI7174DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7174DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7174DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7174DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 60A, SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号SI7174DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7174DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 75V 60A | 当前型号 | VISHAY SI7174DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 75V, 60A, SOIC-8 | 当前型号 |
| 型号： IRFH5007TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 75V 100A | 功能相似 | INFINEON IRFH5007TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 75V, 3.6W | SI7174DP-T1-GE3和IRFH5007TRPBF的区别 |