SI7194DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 25.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 SO-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI7194DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7194DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7194DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 25V, 60A, SOIC | 搜索库存 |