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SUD50P10-43L-E3

SUD50P10-43L-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SUD50P10-43L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.036 ohm, -10 V, -3 V

The is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.

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±20V Gate-source voltage

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin2+Tab DPAK


安富利:
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin2+Tab DPAK


富昌:
单 P 沟道 100 V 0.015 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - TO-252-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin2+Tab DPAK


SUD50P10-43L-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.036 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 136 W

上升时间 160 ns

下降时间 100 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SUD50P10-43L-E3引脚图与封装图
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SUD50P10-43L-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SUD50P10-43L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.036 ohm, -10 V, -3 V 搜索库存