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S34ML01G200BHI503

S34ML01G200BHI503

Cypress Semiconductor 赛普拉斯 主动器件

Flash Memory 1GB, 3V, 25ns NAND Flash

FLASH - NAND Memory IC 1Gb 128M x 8 Parallel 63-BGA 11x9


得捷:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA


贸泽:
Flash Memory 1Gb, 3V, 25ns NAND Flash


艾睿:
IC FLASH 1GBIT


Chip1Stop:
IC FLASH 1GBIT


S34ML01G200BHI503中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

S34ML01G200BHI503引脚图与封装图
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