SI7135DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 104 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -60.0 A
输入电容Ciss 8650pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI7135DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI7135DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 30V,-60A,P沟道MOSFET | 搜索库存 |