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SI7866ADP-T1-E3

SI7866ADP-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY SI7866ADP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 40A, 20V, 3mohm, 4.5V, 800mV

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR800DP-T1-GE3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
N-CHANNEL 20-V D-S MOSFET


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 20 V 0.0024 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7866ADP-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 20 V, 3 mohm, 4.5 V, 800 mV


SI7866ADP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 800 mV

输入电容 5415pF @10V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7866ADP-T1-E3引脚图与封装图
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SI7866ADP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY SI7866ADP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 40A, 20V, 3mohm, 4.5V, 800mV 搜索库存