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SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SUD40N08-16-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V

The is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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175°C Maximum junction temperature

e络盟:
VISHAY  SUD40N08-16-E3  MOSFET, N CHANNEL, 80V, 40A, TO-252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin2+Tab DPAK


富昌:
单 N 沟道 80 V 0.016 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252


Newark:
# VISHAY  SUD40N08-16-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 80V 40A 160mOhm TO252-3 **


SUD40N08-16-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 52 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SUD40N08-16-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SUD40N08-16-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SUD40N08-16-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 0.013 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存