SI7478DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 20 ns
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7478DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7478DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7478DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SI7478DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7478DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 60V 20A | 当前型号 | MOSFET 60V 20A 5.4W 7.5mohm @ 10V | 当前型号 |
| 型号： SI7478DP-T1-E3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 60V 20A | 完全替代 | VISHAY SI7478DP-T1-E3 场效应管, N通道, MOSFET, 60V, 20A, POWERPAK SO | SI7478DP-T1-GE3和SI7478DP-T1-E3的区别 |
| 型号： IRLH5036TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 20A | 功能相似 | INFINEON IRLH5036TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3.7 mohm, 10 V, 1 V | SI7478DP-T1-GE3和IRLH5036TRPBF的区别 |