SI7858ADP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7858ADP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7858ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7858ADP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 12V, 2.6mohm, 4.5V, 950mV | 搜索库存 |