锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI7116DN-T1-E3

SI7116DN-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7116DN-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V VBRDSS

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
单 N 沟道 40 V 0.0078 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7116DN-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 16.4 A, 40 V, 7.8 mohm, 10 V, 2.5 V


SI7116DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0078 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 800 mW

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 16.4 A

上升时间 10 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

高度 1.07 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7116DN-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7116DN-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI7116DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7116DN-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V VBRDSS 搜索库存