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SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3

数据手册.pdf

N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V D-S MOSFET

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
N-CHANNEL 100-V D-S MOSFET


富昌:
单通道 N 沟道 100 V 0.014 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 14.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7178DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 100 V, 0.0114 ohm, 10 V, 4.5 V


SI7178DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 2870pF @50V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 10.0 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SI7178DP-T1-GE3引脚图与封装图
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SI7178DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 N沟道100 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 100-V D-S MOSFET 搜索库存