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SI4423DY-T1-E3

SI4423DY-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4423DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -20 V, 0.006 ohm, -4.5 V, -400 mV

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

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-55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
单 P 沟道 20 V 7.5 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4423DY-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -14 A, -20 V, 0.006 ohm, -4.5 V, -400 mV


SI4423DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.006 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -14.0 A

上升时间 165 ns

下降时间 210 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI4423DY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4423DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4423DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -20 V, 0.006 ohm, -4.5 V, -400 mV 搜索库存
替代型号SI4423DY-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI4423DY-T1-E3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： SO P-Channel -20V -14A 7.5mohms

当前型号

VISHAY  SI4423DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -20 V, 0.006 ohm, -4.5 V, -400 mV

当前型号

型号： SI4477DY-T1-GE3

品牌： 威世

封装： SOIC P-Channel 20V 26.6A

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