SI7115DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3700 mW
输入电容Ciss 1190pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 3700 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -50℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7115DN-T1-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7115DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 150V 2.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |