SIHU3N50D-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 2.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-251
外形尺寸
封装 TO-251
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHU3N50D-E3引脚图与封装图
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