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SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3

数据手册.pdf

N 沟道 100 V 0.025 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 100 V 0.025 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7456DP-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 9.3 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 2 V


SI7456DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 9.30 A, 5.70 A

上升时间 10 ns

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7456DP-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI7456DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 N 沟道 100 V 0.025 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8 搜索库存