SI7149DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0042 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 69 W
输入电容Ciss 4590pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Computers & Computer Peripherals, Power Management, 消费电子产品, 计算机和计算机周边, 电源管理, Consumer Electronics
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI7149DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7149DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7149DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7149DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 4.2 mohm, -10 V, -1.2 V | 搜索库存 |