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SQJ850EP-T1_GE3

SQJ850EP-T1_GE3

数据手册.pdf

N 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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AEC-Q101 qualified
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Halogen-free
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-55 to 175°C Operating temperature range
SQJ850EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 980pF @30VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 5.03 mm

高度 1.14 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Industrial, Automotive, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SQJ850EP-T1_GE3引脚图与封装图
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