SI4838BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.7 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 12 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4838BDY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4838BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4838BDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 12 V, 2.1 mohm, 4.5 V, 400 mV | 搜索库存 |