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SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7818DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 150 V, 0.112 ohm, 10 V, 4 V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
SI7818DN-T1-E3 N-channel MOSFET Transistor, 2.2 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK 1212


富昌:
单通道 N 沟道 150 V 0.135 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK 1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7818DN-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 3.4 A, 150 V, 0.112 ohm, 20 V, 4 V


SI7818DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.112 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.15 mm

高度 1.07 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI7818DN-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI7818DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7818DN-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 150 V, 0.112 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存