SI7370DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 15.8 A
上升时间 12 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 5.99 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7370DP-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7370DP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7370DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.6 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |