SIS426DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 5.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.7 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIS426DN-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIS426DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIS426DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIS426DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 35A POWERPAK, 整卷 | 搜索库存 |