SI4378DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 4.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 25.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4378DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4378DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4378DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 25A, SOIC, 整卷 | 搜索库存 |