SIR464DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 3545pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5200 mW
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR464DP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIR464DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR464DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 50A, POWERPAK8 | 搜索库存 |