SI7884BDP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0062 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 46 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 58.0 A
上升时间 14 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7884BDP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7884BDP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7884BDP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7884BDP-T1-GE3. 晶体管, N沟道 | 搜索库存 |
替代型号SI7884BDP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7884BDP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 40V 58A | 当前型号 | VISHAY SI7884BDP-T1-GE3. 晶体管, N沟道 | 当前型号 |
| 型号： SIR422DP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel | 类似代替 | VISHAY SIR422DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 5400 µohm, 10 V, 1.2 V | SI7884BDP-T1-GE3和SIR422DP-T1-GE3的区别 |